各相關(guān)單位：

　　根據《深圳經(jīng)濟特區科技創(chuàng )新促進(jìn)條例》，深圳市第五屆人民代表大會(huì )常務(wù)委員會(huì )公告，第144號;《關(guān)于促進(jìn)科技創(chuàng )新的若干措施》，中共深圳市委，深發(fā)〔2016〕7號;《深圳市科技計劃管理改革方案》，深圳市人民政府，深府〔2019〕1號;《深圳市科技計劃項目管理辦法》，深圳市科技創(chuàng )新委員會(huì )，深科技創(chuàng )新規〔2019〕1號;《深圳市科技研發(fā)資金管理辦法》，深圳市科技創(chuàng )新委員會(huì )、深圳市財政局，深科技創(chuàng )新規〔2019〕2號文件的相關(guān)規定，具體要求如下：

　　一、申請內容

　　為增強我市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)核心競爭力，提升產(chǎn)業(yè)整體自主創(chuàng )新能力，突破關(guān)鍵零部件等產(chǎn)業(yè)發(fā)展共性關(guān)鍵技術(shù)，聚焦我市戰略新興產(chǎn)業(yè)、促進(jìn)生態(tài)文明建設和民生改善等科技領(lǐng)域瓶頸性關(guān)鍵技術(shù)，對深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域、優(yōu)先主題、重點(diǎn)專(zhuān)項的關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)予以資助。

　　二、課題內容

　　重2020N 5G毫米波基站前端芯片研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息----(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)面向毫米波射頻前端芯片的功率放大器和矢量有源移相技術(shù)研發(fā);

　　(二)基于自研毫米波芯片和國產(chǎn)毫米波大規模陣列天線(xiàn)的AiP模組研發(fā);

　　(三)5G毫米波AAU基站設計、系統業(yè)務(wù)傳輸驗證及應用。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥8件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥4件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1. 毫米波射頻前端芯片指標：?jiǎn)涡酒ǖ罃?ge;4個(gè)，增益分辨率≤0.5dB，相位分辨率≤5.625度，單通道功放P1dB≥18dBm，發(fā)射增益≥25dB，接收噪聲系數≤7dB，接收增益≥25dB，功放效率≥10%@6dB回退;

　　2. 5G毫米波基站指標：工作頻率24.25-27.5GHz，信號帶寬≥800MHz，天線(xiàn)陣元數≥512個(gè)，峰值速率≥10Gbps。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)1000萬(wàn)元

　　重2020N 400G高速光通信用56Gbaud光探測器芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)芯片外延片結構設計：包括外延層的厚度、摻雜類(lèi)型和摻雜濃度等設計;

　　(二)芯片結構設計：包括臺面結構、擴散區、表面增透膜、表面鈍化膜、電極結構等設計;

　　(三)芯片制作工藝流程及工藝參數設計;

　　(四)高頻信號測試技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1. 芯片帶寬BW≥35GHz @(Vr=4V，Pin=0.5mW，with TIA，T=25℃);

　　2. 芯片響應度Re≥0.7 A/W @(Vr=1V，λ=1310nm，Pin=0.5mW，T=25℃);

　　3. 芯片常溫暗電流Id≤3 nA @(Vr=5V，T=25℃);

　　4. 芯片電容C≤0.07pF @(Vr=4V，f=1MHz，T=25℃);

　　5. ESD閾值電壓≥100V。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

　　重2020N 面向5G通信的15 MBd多通道高速邏輯門(mén)輸出光耦研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)多通道高速邏輯門(mén)的發(fā)射/接收芯片設計;

　　(二)光電耦合瞬態(tài)共模抑制技術(shù)研發(fā);

　　(三)多通道抗光電干擾及多通道一致性技術(shù)研發(fā);

　　(四)芯片超小、超薄的封裝高可靠性設計。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.最小共模抑制：15kV/µs;

　　2.傳輸速度：15MBd/S(Vcc=3.3V，RL=350Ω，TA=25℃。);

　　3.最小內間隙≥0.5mm，爬電距離≥8mm;

　　4.輸出從低電平到高電平時(shí)傳輸延時(shí)tPHL≤75ns，輸出從高電平到低電平時(shí)傳輸延時(shí)tPLH≤90ns ，輸出上升時(shí)間tr (typ.)： 45ns, 輸出下降時(shí)間tf (typ.)：20ns(Vcc=3.3V，RL=350Ω，TA=25℃。);

　　5.輸入-輸出瞬時(shí)耐受電壓VISO≥3750 Vrms(測試條件：RH≤50%，t=1min，TA=25℃) ;

　　6.工作絕緣電壓VIORM：560~1140Vpeak;

　　7.最小輸入電流：5mA;

　　8.工作溫度：-55~115℃。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

　　重2020N 面向智能手機的5G NR射頻前端芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)射頻前端芯片架構設計;

　　(二)射頻前端芯片5G功率放大器的線(xiàn)性度提升技術(shù)研發(fā);

　　(三)射頻前端多芯片封裝技術(shù)研發(fā);

　　(四)5G NR射頻前端芯片檢測及驗證。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1. 頻率范圍：2496-2690 MHz;

　　2. 天線(xiàn)輸出功率：?jiǎn)翁炀€(xiàn)模式下，線(xiàn)性功率：26dBm，2×2UL-MIMO工作模式下，線(xiàn)性功率：23+23dBm;

　　3. 5G調制模式: 支持DFT-S-OFDM/CP-OFDM調制，最高帶寬≥100 MHz，支持256QAM高階調制，EVM≤1.4%;

　　4. 輸出電流：900mA@29dBm，Rx鏈路插損：-2.2dB;

　　5. 支持APT和ET模式;

　　6. 支持Fast SRS Hopping timing requirements;

　　7. 支持MIPI 2.1協(xié)議。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

　　重2020N 萬(wàn)兆多模光接入核心芯片和系統研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)從EPON/GPON平滑演進(jìn)到10G-EPON和10G-GPON設計;

　　(二)基于分布式交換架構OLT設備的大容量、高密度、低功耗設計;

　　(三)FTTH長(cháng)距離和大分光比技術(shù)研發(fā);

　　(四)PON核心芯片的高集成度技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥8件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥4件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1. 支持EPON/GPON/10G-EPON/10G-GPON/10GE以太網(wǎng)5模接入;

　　2. 線(xiàn)路側支持32路PON口

　　(16XGPON/XGSPON/XEPON+16GPON/EPON)，支持16×10GE/GE，背板側：支持16路25Gserdes接口;

　　3. 轉發(fā)能力：全雙工320G接入，最大處理能力≥480MPPS，業(yè)務(wù)可編程，支持三層路由;

　　4. 大容量OLT系統采用分布式交換架構，槽位帶寬≥400G。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)1000萬(wàn)元

　　重2020N 物理感知和版圖驅動(dòng)的邏輯綜合技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)融合邏輯綜合、布局布線(xiàn)與簽核工具的統一數據庫平臺與物理實(shí)現引擎技術(shù)研發(fā);

　　(二)具有內嵌的工業(yè)級布局布線(xiàn)器的邏輯綜合技術(shù)研發(fā);

　　(三)物理信息感知和版圖驅動(dòng)的邏輯優(yōu)化與工藝映射技術(shù)研發(fā);

　　(四)物理感知的時(shí)鐘樹(shù)綜合技術(shù)與時(shí)序重建技術(shù)研發(fā);

　　(五)支持先進(jìn)工藝節點(diǎn)7nm/5nm的統一的邏輯綜合與物理綜合優(yōu)化技術(shù)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥8件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥4件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.支持的電路大?。核那f(wàn)門(mén)級;

　　2.綜合運行時(shí)間/每千萬(wàn)門(mén)：12小時(shí)(32CPU服務(wù)器，CPU速度3.5GHZ);

　　3.與傳統的非版圖驅動(dòng)的邏輯綜合器相比:

　　(1)降低布線(xiàn)器的最終工藝約束違例數量15%以上;(2)降低布局布線(xiàn)流程的循環(huán)迭代次數20%以上;

　　(3)提升布局布線(xiàn)優(yōu)化器中邏輯再綜合的時(shí)序性能10%以上;

　　(4)降低電路功耗或者減少芯片面積15%以上;

　　(5)降低布線(xiàn)器運行時(shí)間：5倍。

　　4.與布局布線(xiàn)階段的時(shí)序和線(xiàn)長(cháng)的一致度：差別<5%;

　　5.支持版圖驅動(dòng)的邏輯優(yōu)化與工藝映射;

　　6.支持與簽核級的時(shí)序和功耗分析的集成;

　　7.支持全局布線(xiàn)級的擁擠度分析與模型。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)1000萬(wàn)元

　　重2020N 桌面級高性能自主可控GPU芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

　　一、領(lǐng)域： 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)

　　二、主要研發(fā)內容

　　(一)圖形處理器(GPU)指令集研發(fā);

　　(二)可編程渲染GPU Shader Core及GPU Shader Core互聯(lián)技術(shù)研發(fā);

　　(三)GPU Shader Cluster及GPU SoC設計;

　　(四)GPU編譯器及GPU軟件模擬器研發(fā);

　　(五)Linux操作系統環(huán)境及相關(guān)驅動(dòng)研發(fā)。

　　三、項目考核指標(項目執行期內)

　　(一)經(jīng)濟指標：實(shí)現銷(xiāo)售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬(wàn)元。

　　(二)學(xué)術(shù)指標：申請專(zhuān)利≥7件，其中發(fā)明專(zhuān)利≥3件。

　　(三)技術(shù)指標：

　　1.GPU芯片運行功耗<40W;

　　2.GPU指令集位數：32位，支持協(xié)處理器擴展和OpenGL Shading Lanuage;

　　3.GPU多核互聯(lián)，最高支持GPU核心數量：128個(gè)，支持單精度浮點(diǎn)運算，采用1300MHz芯片主頻(支持動(dòng)態(tài)調頻)浮點(diǎn)運算能力(FP32)最大達到1280GFLOPS;

　　4.具有L1、L2、L3多級緩存，硬件支持緩存一致性;

　　5.支持圖形學(xué)國際標準規范OpenGL2.0，支持高性能并行計算的國際標準規范OpenCL1.2。

　　6.支持國產(chǎn)操作系統的桌面GUI渲染及3D游戲渲染;

　　7.渲染能力：最多支持可獨立關(guān)閉的渲染流水線(xiàn)4條，最高像素填充率：16Gpixel/S@1300MHz;

　　8.主機接口：支持PCIE3.0 X16;

　　9.支持HDMI x2、VGA x1、DP x1顯示接口;

　　10.支持高清視頻H.265、H.264、VC-1、VP8、MPEG2和MPEG4硬件解碼。

　　四、項目實(shí)施期限： 3年

　　五、資助金額： 不超過(guò)800萬(wàn)元

　　三、支持強度與方式

　　支持強度：有數量限制，受科技研發(fā)資金年度總額控制，單個(gè)項目資助強度最高不超過(guò)1000萬(wàn)元。

　　支持方式：事前資助。

　　四、申請條件

　　申請技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目資助應當符合以下條件：

　　(一)申請牽頭單位應當是在深圳市(含深汕特別合作區)內依法注冊、具有獨立法人資格，且2019年度營(yíng)業(yè)收入在2000萬(wàn)元以上(含2000萬(wàn)元)的國家或深圳市高新技術(shù)企業(yè)、技術(shù)先進(jìn)型服務(wù)企業(yè)(2017-2019年獲得認定的);

　　(二)采用聯(lián)合申報方式，鼓勵產(chǎn)學(xué)研用合作攻關(guān)，牽頭單位2019年度營(yíng)業(yè)收入不足1億的，參與單位應有1家企業(yè)2019年度營(yíng)業(yè)收入在1億以上(含1億元)。國內(含港澳)具有獨立法人資格的高校、科研機構和企業(yè)可作為合作單位參與項目;

　　(三)申請單位應當具有良好的研發(fā)基礎和條件(在深具備研發(fā)場(chǎng)地、設施、人員等條件)、健全的財務(wù)制度和優(yōu)秀的技術(shù)及管理團隊，能提供相應的配套資金，項目自籌資金不低于申請的財政資助金額;

　　(四)項目負責人必須為申請牽頭單位的全職在職人員，項目組成員總人數的50%以上須在深圳購買(mǎi)社會(huì )保險;

　　(五)聯(lián)合申報應注意以下事項：

　　1.申請書(shū)中填報合作單位名稱(chēng)并加蓋合作單位公章;

　　2.合作協(xié)議中應明確申請牽頭單位和合作單位的研發(fā)內容分工、知識產(chǎn)權分配等相關(guān)內容;

　　3.申請牽頭單位資金分配比例不少于單個(gè)合作單位的分配比例;

　　4.申請牽頭單位可聯(lián)合國內(含港澳)創(chuàng )新資源共同研發(fā)。深圳市外單位作為合作單位的，按深圳市財政資助資金有關(guān)管理辦法執行。

　　(六)本項目申請實(shí)行限項制，具體要求是：

　　1.同一個(gè)法人單位只能牽頭申請1項本批次技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目;

　　2.已列入科研誠信異常名錄的單位和人員不得申請;

　　3.已承擔2018、2019年技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目的項目負責人不得作為本批次技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目申請的項目負責人。

　　(七)如果項目申請涉及科研倫理與科技安全(如生物安全、信息安全等)的相關(guān)問(wèn)題，申請單位應當嚴格執行國家有關(guān)法律法規和倫理準則。

相關(guān)附件：
2020年第二批技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目申請指南.docx
2020年第二批技術(shù)攻關(guān)重點(diǎn)項目課題指南.pdf
科研誠信承諾書(shū)（模板）.docx
知識產(chǎn)權合規性聲明（模板）.docx