省直有關(guān)部門(mén)、各地級以上市科技局(委)、各有關(guān)單位：

　　為全面貫徹落實(shí)黨的十九大和習近平總書(shū)記關(guān)于加強關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)的系列重要講話(huà)精神，按照省委省政府關(guān)于科技創(chuàng )新的相關(guān)部署，根據《廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃實(shí)施方案》，現啟動(dòng)2020年度廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃“芯片、軟件與計算”(芯片類(lèi))重大專(zhuān)項項目申報工作(申報指南見(jiàn)附件1)。有關(guān)事項通知如下：

　　一、申報要求

　　(一)項目申報單位(包括企業(yè)、科研院所、高校、其他事業(yè)單位和行業(yè)組織等)應注重產(chǎn)學(xué)研結合、整合省內外優(yōu)勢資源。

　　申報單位為省外地區的，項目評審與廣東省內單位平等對待，港澳地區高校院所按照《廣東省科學(xué)技術(shù)廳 廣東省財政廳關(guān)于香港特別行政區、澳門(mén)特別行政區高等院校和科研機構參與廣東省財政科技計劃(專(zhuān)項、基金等)組織實(shí)施的若干規定(試行)》(粵科規范字〔2019〕1號)文件精神納入相應范圍。省外單位牽頭申報的，經(jīng)競爭性評審，擇優(yōu)納入科技計劃項目庫管理。入庫項目在滿(mǎn)足科研機構、科研活動(dòng)、主要團隊到廣東落地，且項目知識產(chǎn)權在廣東申報、項目成果在廣東轉化等條件后，給予立項支持。

　　(二) 堅持需求導向和應用導向。鼓勵企業(yè)牽頭申報，牽頭企業(yè)原則上應為高新技術(shù)企業(yè)或龍頭骨干企業(yè)，建有研發(fā)機構，在本領(lǐng)域擁有國家級、省部級重大創(chuàng )新平臺，且以本領(lǐng)域領(lǐng)軍人物或中青年創(chuàng )新人才作為項目負責人。申報項目必須有自籌經(jīng)費投入，企業(yè)牽頭申報的，項目總投入中自籌經(jīng)費原則上不少于70%;非企業(yè)牽頭申報的，項目總投入中自籌經(jīng)費原則上不少于50%。

　　(三) 省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃申報單位總體不受在研項目數的限項申報約束，申報單位應在該領(lǐng)域具有顯著(zhù)優(yōu)勢，注重加強資源統籌和要素整合，集中力量開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)，原則上每個(gè)項目的牽頭申報單位和參與單位總數不超過(guò)10家(含)。不鼓勵同一研究團隊或同一單位分散力量，在申報同一專(zhuān)項(或專(zhuān)題)時(shí)，同一研究團隊原則上只允許牽頭1項或參與1項，同一法人單位原則上只允許牽頭及參與不超過(guò)3項，否則納入科研誠信記錄并進(jìn)行相應處理。

　　(四) 項目負責人應起到統籌領(lǐng)導作用，能實(shí)質(zhì)性參與項目的組織實(shí)施，防止出現拉本領(lǐng)域高端知名專(zhuān)家掛名現象。

　　(五) 項目?jì)热蓓氄鎸?shí)可信，不得夸大自身實(shí)力與技術(shù)、經(jīng)濟指標。各申報單位須對申報材料的真實(shí)性負責，申報單位和推薦單位要落實(shí)《關(guān)于進(jìn)一步加強科研誠信建設的若干意見(jiàn)》(廳字〔2018〕23號)要求，加強對申報材料審核把關(guān)，杜絕夸大不實(shí)，甚至弄虛作假。各申報單位、項目負責人須簽署《申報材料真實(shí)性承諾函》(模板可在陽(yáng)光政務(wù)平臺系統下載，須加蓋單位公章)。項目一經(jīng)立項，技術(shù)、產(chǎn)品、經(jīng)濟等考核指標無(wú)正當理由不予修改調整。

　　(六) 申報單位應認真做好經(jīng)費預算，按實(shí)申報，且應符合申報指南有關(guān)要求。牽頭承擔單位應具備較強的研究開(kāi)發(fā)實(shí)力或資源整合能力，承擔項目的核心研究組織任務(wù)，原則上應分配最大的資金份額。

　　(七) 有以下情形之一的項目負責人或申報單位不得進(jìn)行申報或通過(guò)資格審查：

　　1.項目負責人有廣東省級科技計劃項目3項以上(含3項)未完成結題或有項目逾期一年未結題(平臺類(lèi)、普惠性政策類(lèi)、后補助類(lèi)項目除外);

　　2.項目負責人有在研廣東省重大科技專(zhuān)項項目、重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃項目未完成驗收結題(此類(lèi)情形下該負責人還可作為參與人員參與項目團隊);

　　3.在省級財政專(zhuān)項資金審計、檢查過(guò)程中發(fā)現重大違規行為;

　　4.同一項目通過(guò)變換課題名稱(chēng)等方式進(jìn)行多頭或重復申報;

　　5.項目主要內容已由該單位單獨或聯(lián)合其他單位申報并已獲得省科技計劃立項;

　　6.省內單位項目未經(jīng)科技主管部門(mén)組織推薦;

　　7.有尚在懲戒執行期內的科研嚴重失信行為記錄和相關(guān)社會(huì )領(lǐng)域信用“黑名單”記錄;

　　8.違背科研倫理道德。

　　(八) 申報項目還須符合申報指南各專(zhuān)題方向的具體申報條件。

　　二、專(zhuān)題內容

　　專(zhuān)題一:EDA工具技術(shù)研發(fā)及應用(專(zhuān)題編號:20200127)

　　項目1:數字芯片設計的EDA技術(shù)創(chuàng )新與應用

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　以提升廣東省數字芯片(包括但不限于:CPU, GPU,FPGA等高端通用芯片、各類(lèi)處理器，物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心芯片、車(chē)規級AI(人工智能)芯片等專(zhuān)用芯片，以及面向通信、人工智能、超高清視頻、汽車(chē)、衛星應用、智能家居、智慧醫療、電子辦公等各類(lèi)系統級SoC芯片)設計水平為目標，通過(guò)EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng )新，重點(diǎn)支撐定制架構、芯片安全、低功耗、異構計算、硬件加速等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。開(kāi)展集成電路設計方法學(xué)研究，針對先進(jìn)節點(diǎn)數字芯片設計中設計流程多變，時(shí)序收斂要求高，布線(xiàn)密度大，功能和性能驗證復雜度高等設計方法問(wèn)題，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng )新，開(kāi)發(fā)與芯片設計核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于設計流程自動(dòng)化、硬件描述和高層次綜合的編程語(yǔ)言與形式化驗證、編程模型與編譯映射、邏輯仿真、邏輯綜合、仿真驗證、布局布線(xiàn)等工具。將開(kāi)發(fā)的創(chuàng )新EDA工具推廣應用至數字集成電路芯片設計中，提升億門(mén)級數字芯片的設計質(zhì)量及效率，并在芯片設計過(guò)程中對 EDA工具進(jìn)行驗證及優(yōu)化。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須覆蓋考核指標1, 2, 4，及3中選定目標芯片產(chǎn)品對應的指標。

　　1.以至少一款具有國際競爭力的億門(mén)級高端芯片應用為，形成和此款高端芯片相關(guān)的EDA創(chuàng )新技術(shù)與相關(guān)工具并在此款芯片中應用。

　　2.所開(kāi)發(fā)的EDA工具瞄準14納米或更先進(jìn)的工藝節點(diǎn)，對標國外現有或類(lèi)似的同類(lèi)工具，如高層次綜合、功能仿真、時(shí)序仿真等一個(gè)以上點(diǎn)工具的性能和關(guān)鍵技術(shù)參數達到國內領(lǐng)先，國際先進(jìn)，部分爭取國際領(lǐng)先。

　　3.對標國內外現有CPU , GPU , FPGA等高端通用芯片、各類(lèi)處理器，物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心、車(chē)規級AI等芯片以及面向通信、人工智能、超高清視頻、汽車(chē)、衛星應用、智能家居、智慧醫療、電子辦公等各類(lèi)系統級SoC芯片或類(lèi)似的同類(lèi)芯片，定制架構、信息安全、低功耗、異構計算、硬件加速等芯片關(guān)鍵技術(shù)參數和性能達到國內領(lǐng)先，國際先進(jìn)。對于信息安全芯片，須支持國密算法體系;對于車(chē)規級AI芯片，須滿(mǎn)足AEC-Q100 grade3標準，目標檢測時(shí)間小于100ms;對于物聯(lián)網(wǎng)芯片，主頻須超過(guò)200MHz，支持數字信號處理和浮點(diǎn)運算。

　　4.申請國家發(fā)明專(zhuān)利10件以上，軟件著(zhù)作權2件以上，PCT專(zhuān)利5件以上。

　　(三)申報要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵芯片設計單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔不低于20%的工作量。

　　(四)支持強度

　　擬支持2~3項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　項目2:模擬或數?；旌霞呻娐沸酒O計的EDA技術(shù)

　　創(chuàng )新與應用

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　以提升廣東省模擬或數?；旌闲酒?包括但不限于:功率器件、傳感器、射頻電路、顯示驅動(dòng)電路、電源管理電路、毫米波電路等芯片)設計水平為目標，通過(guò)EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng )新，重點(diǎn)支撐新工藝、新架構、信號完整性、芯片穩定性、異質(zhì)集成等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。開(kāi)展集成電路設計方法學(xué)研究，針對先進(jìn)工藝節點(diǎn)或特色工藝節點(diǎn)的模擬或數?；旌霞呻娐沸酒O計中自動(dòng)化程度偏低，計算機仿真、驗證復雜度高等設計方法問(wèn)題，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng )新，開(kāi)發(fā)與芯片設計核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于設計流程自動(dòng)化、電路仿真分析等工具，重點(diǎn)突破傳統SPICE框架，仿真精度與實(shí)測電路性能相比誤差在10%以?xún)?。將開(kāi)發(fā)的創(chuàng )新EDA工具推廣應用至模擬與數?；旌霞呻娐沸酒O計中，提升芯片的設計質(zhì)量及性?xún)r(jià)比，并在芯片設計過(guò)程中實(shí)現EDA工具的驗證優(yōu)化及應用。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須覆蓋考核指標1, 2, 4，及3中選定目標芯片產(chǎn)品對應的指標。

　　1.以至少一款具有國際競爭力的主流高端芯片應用為背景，形成和此款高端芯片相關(guān)的EDA創(chuàng )新技術(shù)與相關(guān)工具，并在此款芯片中應用。

　　2.所開(kāi)發(fā)的EDA工具瞄準16納米或更先進(jìn)的工藝節點(diǎn)，對標國外現有或類(lèi)似的同類(lèi)工具，如電路仿真、版圖設計、參數提取等一個(gè)以上點(diǎn)工具的性能和關(guān)鍵技術(shù)參數達到國內領(lǐng)先，國際先進(jìn)，部分爭取國際領(lǐng)先。

　　3.對標國內外現有功率半導體、射頻、傳感器、放大器、顯示驅動(dòng)、電源管理、毫米波等芯片或類(lèi)似的同類(lèi)芯片，新工藝、新架構、信號完整性、芯片穩定性、異質(zhì)集成等芯片關(guān)鍵技術(shù)參數和性能達到國內領(lǐng)先，國際先進(jìn)。對于基帶芯片和射頻芯片，須支持主流的Sub-6G低頻頻段與28GHz高頻毫米波頻段。

　　4.申請國家發(fā)明專(zhuān)利10件以上，軟件著(zhù)作權2件以上，PCT專(zhuān)利5件以上。

　　(三)申報要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵芯片設計單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔不低于 20%的工作量。

　　(四)支持強度

　　擬支持1~2項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　項目3:存儲芯片設計的EDA技術(shù)創(chuàng )新與應用

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　以提升廣東省存儲芯片設計水平為目標，通過(guò)EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng )新，重點(diǎn)支撐新協(xié)議、存算一體、物理不可克隆、大容量、自糾錯、穩定性等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。開(kāi)展集成電路設計方法學(xué)研究，針對先進(jìn)節點(diǎn)(14納米或以下)存儲芯片設計中晶體管密集，設計余量低，工藝偏差對芯片質(zhì)量和良率影響大等設計方法問(wèn)題，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng )新，開(kāi)發(fā)與芯片設計核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于存儲編譯器、高精度仿真工具、快速驗證工具等，充分利用存儲芯片陣列高度結構化的特點(diǎn)，通過(guò)網(wǎng)絡(luò )劃分，模型降階以及超大規模并行化等創(chuàng )新技術(shù)，在維持足夠低精度的前提下提高仿真效率、容量和速度;研究快速蒙特卡洛方法等新技術(shù)，提升高S igma驗證的準確性及速度。將開(kāi)發(fā)的創(chuàng )新EDA工具推廣應用至閃存、DRAM , S RAM和MRAM等先進(jìn)存儲芯片設計中，提升芯片的設計質(zhì)量及效率，并在芯片設計過(guò)程中對實(shí)現EDA工具的優(yōu)化及應用。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須覆蓋考核指標1, 2, 4，及3中選定目標芯片產(chǎn)品對應的指標。

　　1.以至少一款具有國際競爭力的高端存儲芯片應用為背景，形成和此款芯片相關(guān)的EDA創(chuàng )新技術(shù)與相關(guān)工具，并在此款芯片中應用。

　　2.所開(kāi)發(fā)的EDA工具瞄準14納米或更先進(jìn)的工藝節點(diǎn)，對標國內外現有或類(lèi)似的同類(lèi)工具，如存儲編譯器、仿真驗證工具等一個(gè)以上點(diǎn)工具的性能和關(guān)鍵技術(shù)參數達到國內領(lǐng)先，國際先進(jìn)，部分爭取國際領(lǐng)先。

　　3.對標國內外現有或類(lèi)似的同類(lèi)芯片，新協(xié)議、存算一體、物理不可克隆、大容量、自糾錯、穩定性等芯片關(guān)鍵技術(shù)參數和性能達到國內領(lǐng)先、國際先進(jìn)。對于固態(tài)存儲控制芯片，須實(shí)現全硬化ECC , LDPC算法，支持國密算法體系;對于閃存芯片，須達到國內領(lǐng)先的TLC/QLC層數，連續讀取速度不低于560M/s、連續寫(xiě)入速度不低于3 50M/s o

　　4.申請國家發(fā)明專(zhuān)利10件以上，軟件著(zhù)作權2件以上，PCT專(zhuān)利5件以上。

　　(三)申報要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵芯片設計單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔不低于20%的工作量。

　　(四)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　專(zhuān)題二:集成電路制造工藝(專(zhuān)題編號:20200128)

　　項目1:基于模擬特色工藝的器件精準模型及PDK工藝庫研發(fā)

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　以重點(diǎn)提升廣東省模擬芯片，尤其高端數?；旌闲酒O計以及其工程化設計水平為目標，攻克特色模擬半導體工藝、基于特色模擬工藝的精確器件物理模型以及芯片設計PDK工藝庫。從半導體材料本質(zhì)出發(fā)，開(kāi)展基礎性器件物理研究，突破可復制的從特色工藝、器件物理模型、到芯片設計的關(guān)鍵技術(shù)。圍繞高性能數?；旌闲酒O計需求及產(chǎn)業(yè)化“瓶頸”，重點(diǎn)研發(fā)能精確反映特色工藝的器件物理模型(包括不同偏置狀態(tài)、溫度條件、工藝角、工藝波動(dòng)等)以及其相關(guān)的噪聲模型和可靠性模型，構建靈活、精簡(jiǎn)、高效的半導體器件緊湊模型，尤其是有源器件的模型，并能實(shí)現與各類(lèi)EDA工具的快速整合，提升仿真效率，優(yōu)化模型的收斂速度。進(jìn)一步建立不少于一個(gè)典型芯片的基于特色工藝及模型的芯片設計PDK工藝庫，開(kāi)發(fā)高端的數?；旌闲酒a(chǎn)品，包括但不限于高精度、低漂移電壓基準，超低失調電壓放大器，高精度模數、數模轉換芯片、IO以及ESD宏模型等，為芯片設計整體精準仿真提供平臺。

　　(二)考核指標

　　1.開(kāi)發(fā)出以12英寸生產(chǎn)線(xiàn)大規模量產(chǎn)為基礎的模擬特色工藝，并在此工藝基礎上，研發(fā)基于物理特性的精準緊湊器件模型及其參數的提取方法，建立可用于模擬芯片設計的精準器件物理模型(包括不同偏置狀態(tài)、溫度條件、工藝角、工藝波動(dòng)以及噪聲模型、可靠性模型等)。針對MOS場(chǎng)效應器件，研發(fā)物理模型的關(guān)鍵參數，并能在亞閡值區、線(xiàn)性區、飽和區實(shí)現模型與器件特性的精確擬合，確保高精度集成電路的設計與仿真準確性，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先。

　　2.高性能電壓參考基準芯片IP核。研發(fā)可用于-40~1250C的電壓基準芯片，溫漂小于8 ppm/oC，在小于10Hz條件下，VP-P噪聲小于6(V，紋波抑制大于80 dB。與數字芯片整合，實(shí)現帶電壓基準的數?；旌闲酒呐可a(chǎn)與應用。

　　3.申請國家發(fā)明專(zhuān)利10件以上，并在A(yíng)DC等芯片中取得示范應用。

　　(三)申報要求

　　須芯片制造企業(yè)牽頭承擔。

　　(四)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)2000萬(wàn)元/項。

　　專(zhuān)題三:集成電路封裝關(guān)鍵技術(shù)(專(zhuān)題編號:20200129)

　　項目1:異構集成關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)和應用

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　以研發(fā)半導體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)的精細線(xiàn)路芯片間異構互連多器件封裝為重點(diǎn)，開(kāi)展基于三維封裝、扇出封裝、晶圓級封裝、倒裝芯片封裝、DFN/QFN無(wú)引線(xiàn)封裝、系統級封裝、真空封裝、MEMS技術(shù)等先進(jìn)封裝技術(shù)的集成創(chuàng )新研發(fā)，實(shí)現功能化元器件架構創(chuàng )新、5μm到40μm的線(xiàn)寬線(xiàn)距的高帶寬芯片間的高能效處理器和儲存器互連、緊湊型系統集成等，在射頻模塊、功率器件、傳感器、存儲器單元、光電異構器件，以及集成硅器件和無(wú)源器件(如大容量電容、特種電感、濾波器)等領(lǐng)域開(kāi)展產(chǎn)品應用。產(chǎn)品的技術(shù)指標要優(yōu)于傳統工藝的指標，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先。掌握核心生產(chǎn)制造技術(shù)儲備知識產(chǎn)權，為量產(chǎn)指明方向。

　　(二)考核指標

　　異構互聯(lián)線(xiàn)的線(xiàn)寬線(xiàn)距在5μm到40μm之間，硅片間距小于200μm;封裝布線(xiàn)的層數達到4層以上;工藝上實(shí)現200mm以上面板級扇出封裝或者3D封裝異構集成;在-400Cto 850C溫度循環(huán)條件下，循環(huán)次數高于1000次;異構互聯(lián)在85oC、 104A/cm2條件下，抗電遷移能力大于500h;信號處理(處理器和儲存器)的帶寬大于15GBps;射頻模塊(包括PA，射頻開(kāi)關(guān)，低噪聲放大器)、窄帶物聯(lián)網(wǎng)中IC、傳感器、硅光器件以及無(wú)源器件等實(shí)現異構集成及產(chǎn)業(yè)化;形成成本分析報告，成本優(yōu)勢比傳統封裝提升30%以上;申請國家發(fā)明專(zhuān)利10件以上，PCT專(zhuān)利5件以上。

　　(三)支持強度

　　擬支持2項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　項目2:先進(jìn)精細線(xiàn)路封裝面板級工藝研發(fā)

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)在200mm以上面板尺寸基于高密度精細線(xiàn)路的剛性基板、柔性基板、剛柔結合基板等高端封裝基板，推動(dòng)高密度高精度(最小線(xiàn)寬線(xiàn)距，放焊材料，開(kāi)孔等)和高性能(低損耗，高可靠性，小尺寸高頻)的封裝基板制造的自主可控國產(chǎn)化。開(kāi)發(fā)面板級扇出封裝射頻和功率器件的量產(chǎn)，實(shí)現高集成度、小尺寸、價(jià)格有競爭力的新面板級扇出封裝產(chǎn)業(yè)化，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，選擇以下1~3中一個(gè)產(chǎn)品方向并完成相應考核指標，并須覆蓋指標4。

　　1.剛性基板:2~14層基板，基板總厚度最薄200μm或以下;最小線(xiàn)寬/線(xiàn)距8μm/8μm或以下;防焊開(kāi)孔50μm或以下，防焊厚度10μm，精度(3μm以?xún)?。剛柔結合基板:基板層數4-14層以上;最小線(xiàn)寬/線(xiàn)距8μm/8μm以下;彎折壽命不小于10000次(彎折半徑R=0.5mm }。

　　2.柔性基板:傳輸損耗小于0.03 db/mm ( 0.2~18GHz頻率)、0.05db/mm C 18~40GHz頻率)。

　　3.面板扇出射頻工藝:積層層數2層以上，實(shí)現直壓模塑以外的塑封工藝等生產(chǎn)方式。

　　4.申請國家發(fā)明專(zhuān)利10件以上，PCT專(zhuān)利10件以上，項目執行期間實(shí)現產(chǎn)值人民幣10億元以上。

　　(三)申報要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報。

　　(四)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　專(zhuān)題四:集成電路裝備及零部件(專(zhuān)題編號:20200130)

　　項目1:遠程等離子源研發(fā)

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　研究基于高頻電壓的電極負直流電壓產(chǎn)生技術(shù)、正離子轟擊電極加速技術(shù)、雙高頻電壓離子轟擊及高離子通量放電協(xié)同控制技術(shù)、遠程大口徑等離子產(chǎn)生及遠程穩定維持技術(shù);研究等離子體內部離子密度測量、溫度測量，空間分布均勻性測量、自由基測定，借助發(fā)射光譜分析轉動(dòng)能帶，遠程原位等離子體原位診斷技術(shù)、X射線(xiàn)光譜和等離子體圖像獲取等原位測試分析技術(shù)，研制遠程等離子體源設備，并在芯片制造行業(yè)開(kāi)展示范應用，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須研制出高密度、高活性、高均勻性、低污染的遠程等離子體源設備樣機一套，支持等離子體源原位測量，離化輸出功率達600W，功率范圍可擴展為擴展功率范圍3~200W;在200mm~300mm的真空反應腔中、3Torr~lOTorr氣壓范圍內、2.5s1m氣體流量下，實(shí)現大于94%的離化率;申請發(fā)明專(zhuān)利5項，開(kāi)發(fā)的遠程等離子體源設備實(shí)現規模量產(chǎn)和銷(xiāo)售與應用示范，產(chǎn)品銷(xiāo)售收入不低于3000萬(wàn)。

　　(三)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　項目2:高溫高精度分子束源爐研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　面向量子器件、紅外與毫米波器件以及5G通訊技術(shù)發(fā)展需求，開(kāi)展分子束(MBE)源爐加熱單元的熱力學(xué)分析，突破凸凹熱屏蔽技術(shù)和寬接觸補償熱偶控溫技術(shù)，實(shí)現多溫區高精度測溫、控溫與保溫結構設計，研制具有自主知識產(chǎn)權的高溫高精度MBE源爐，并在國產(chǎn)FW-VI型分子束外延設備上開(kāi)展示范應用，外延生長(cháng)出GaAs , AIGaAs , InGaAs等高質(zhì)量材料，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先，滿(mǎn)足新型器件的制備需求。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須研制出一套具有自主知識產(chǎn)權的高溫高精度MBE(分子束)源爐樣機，雙溫區加熱，束源爐加熱溫度≥1400oC;控溫精度≤±0.1oC;集成水冷和shutter，以及自動(dòng)控制系統，源爐真空度優(yōu)于6x10-10Torr。在分子束外延系統中進(jìn)行GaAs基外延材料生長(cháng)驗證，GaAs外延片尺寸大于2英寸，材料生長(cháng)速率0.1~2μm/h，膜厚度不均勻性≤3%,表面缺陷(lμm厚GaAs)≤50個(gè)/cm2;電學(xué)性能(2μm厚度GaAs):背景載流子濃度n≤3X1014/cm3，遷移率μ300k≥6000cm2/V.s, μ77K≥60000cm2/V.s。 GaAs二維電子氣材料:n≈5X1O11/cm2，μ3ooK≥6000cm2/V.s，μ77K≥150000cm2/V.s。AIGaAs外延材料:組份不均勻性(Al含量30%)≤±2%。并支撐分子束外延整機設備實(shí)現銷(xiāo)售3000萬(wàn)元。

　　(三)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)2000萬(wàn)元/項。

　　項目3:碳化硅高溫氧化爐裝備研發(fā)

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　研發(fā)高溫氧化爐裝備，研究降低單極性器件金屬氧化物場(chǎng)效應管(MOSFET)柵介質(zhì)Si02與碳化硅(SiC)之間的界面態(tài)密度的技術(shù)，提升溝道載流子遷移率;調控混合型雙極型器件絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結構中的n型漂移區以及p型空穴注入區的載流子壽命。提高遷移率，降低器件的導通損耗;將載流子壽命控制在一定范圍之內，大幅提升SiC器件的高頻性能，保持器件開(kāi)關(guān)頻率特性的同時(shí)使關(guān)斷損耗下降，從而降低器件的功耗，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須研制出碳化硅器件用多片高溫氧化爐樣機一套，形成具有自主知識產(chǎn)權的多片高溫氧化爐設計、制造以及配套的氧化工藝技術(shù)。SiC高溫氧化爐氧化工藝溫度最高1500oC，可在1350oC下長(cháng)期工作，加熱速率達到8oC/分鐘，具有報警及連鎖保護功能，MTBF>500h。支持2"、3"、4"和6"晶圓的批量氧化加工(每爐20片及以上)?？墒褂酶裳酰?2）、一氧化二氮(N20）、氧化氮(NO、二氧化氮(N02)或濕氧（02+H20)進(jìn)行氧化。

　　(三)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　項目4:半導體設備用低溫泵研發(fā)

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　研究小型G-M制冷機的超低溫氣體捕獲機理及氦氣專(zhuān)用壓縮機技術(shù)，對制冷機單元和真空抽氣單元的進(jìn)行模型和設計仿真;開(kāi)發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的低溫泵智能控制系統和網(wǎng)絡(luò )低溫泵組控制系統;研究大抽氣容量和快速壓力回收技術(shù)，開(kāi)發(fā)薄壁氣缸、超低溫(lOK)回熱器、超低溫(10K)密封件等核心零部件量產(chǎn)技術(shù);建立半導體用低溫泵評價(jià)體系，制定半導體用低溫泵相關(guān)技術(shù)標準。研發(fā)半導體用低溫泵系統與高端裝備國產(chǎn)半導體設備專(zhuān)用低溫泵，并開(kāi)展產(chǎn)業(yè)化量產(chǎn)研究，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須研制出具有自主知識產(chǎn)權的半導體設備專(zhuān)用低溫泵系統，產(chǎn)品性能測試標準滿(mǎn)足國際標準ISO21360-1，可用于12英寸半導體制備中替代進(jìn)口。設備極限真空應達到5.Oe-9Torr、空氣與氫氣抽氣速度分別不低于1500L/s與1150L/s,氫氣抽氣容量750Std.L(壓力回收到5.Oe-7Torr用時(shí)小于30秒)、完全和快速再生時(shí)間分別不超過(guò)170和60分鐘;完成低溫真空泵樣機。建立半導體設備用低溫泵評價(jià)體系，申請半導體設備用低溫泵相關(guān)發(fā)明利5件以上，形成2件技術(shù)標準，項目成果在省內芯片制造企業(yè)開(kāi)展示范應用。

　　(三)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　項目5:高精度無(wú)掩模激光直寫(xiě)制版技術(shù)與裝備

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　研究可用于穩定制作高精度集成電路掩模版的高性能激光直寫(xiě)裝備關(guān)鍵工藝技術(shù)，研究激光光束準直、擴束和聚焦，鏡頭設計，電動(dòng)平臺傳動(dòng)控制(主要為工件臺速度與精度)，視覺(jué)識別及反饋控制，拼接及套刻精度控制，系統控制軟件的設計等環(huán)節關(guān)鍵技術(shù)，研究整機制造技術(shù)，開(kāi)發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的國產(chǎn)高精度無(wú)掩模激光直寫(xiě)制版裝備，在高精度光學(xué)掩模版及傳感器芯片等制造中開(kāi)展示范應用，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須研制出高精度無(wú)掩模激光直寫(xiě)制版裝備，直寫(xiě)速度支持1350mm2/min，圖形寫(xiě)入幅面支持250 mmX250mm、激光光源支持355nm,曝光分辨率達到0.75μm;支持分辨率根據不同的刻寫(xiě)速度自動(dòng)轉換，最小分辨精度不小于14nm，支持多種曝光模式;支持實(shí)時(shí)自動(dòng)聚焦、基底表面粗糙跟蹤及灰階光刻(不小于2048階)、多次曝光和多層對準套刻、翹曲襯底圖形光刻等功能;支持多種數據輸入格式(DXF , CIF , GDSII以及Gerbe:文件);在集成電路掩模版、MEMS器件、光子芯片、傳感器芯片、柔性電子、二元光學(xué)、扇出封裝等方面形成5項或以上示范應用;申請國家發(fā)明專(zhuān)利5項。

　　(三)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　項目6: 300mm圖形套刻對準測量設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　面向國內20-14nm節點(diǎn)的集成電路檢測和測量需求，開(kāi)發(fā)圖形套刻對準測量設備，突破關(guān)鍵技術(shù)，獲得核心自主知識產(chǎn)權。完成關(guān)鍵技術(shù)與核心部件研發(fā)，包括高數值孔徑高角分辨率散射成像技術(shù)、多通道高信噪比光譜信號提取技術(shù)、高精度套刻量測信號解析技術(shù)、強魯棒性自適應光學(xué)聚焦技術(shù)、高速高精度晶圓運動(dòng)位移控制技術(shù)、高速圖像數據處理技術(shù)等。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須研制出一套具有自主知識產(chǎn)權的300mm圖形套刻對準測量設備樣機，技術(shù)水平達到國內領(lǐng)先，基本實(shí)現可與國際產(chǎn)品競爭的指標，并支撐3OOmm圖形套刻對準測量整機設備實(shí)現銷(xiāo)售。設備晶圓尺寸為3 OOmm，光學(xué)數值孔徑≥0.9，套刻測量精度≤0.5nm，套刻單點(diǎn)測量時(shí)間≤0.75s，產(chǎn)率≥90WPH，正常運行時(shí)間≥90%，平均無(wú)故障時(shí)間≥800hrs，平均故障修復時(shí)間≤6hrs。完成和設備關(guān)鍵零部件的國內供應商的合作開(kāi)發(fā)，并完成設備在國內芯片生產(chǎn)企業(yè)的量產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)測試和驗證。

　　(三)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　專(zhuān)題五:集成電路創(chuàng )新生態(tài)(專(zhuān)題編號:20200131)

　　項目1:面向國產(chǎn)計算芯片生態(tài)的技術(shù)研發(fā)及應用

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　研究基于國產(chǎn)計算芯片的自主可控計算平臺技術(shù)，開(kāi)展高能效、低功耗的體系架構創(chuàng )新，優(yōu)化芯片設計，提升芯片計算能力，形成自主知識產(chǎn)權。針對數據中心大數據計算、分布式存儲、ARM原生應用等場(chǎng)景，優(yōu)化分支預測算法、提升運算單元數量、改進(jìn)內存子系統架構，提高國產(chǎn)芯片性能。研究?jì)?yōu)化系統適用性和集成度的架構創(chuàng )新方法，實(shí)現不同功能類(lèi)型芯片的異構集成。研究示范應用所需要的應用遷移技術(shù)、性能分析調優(yōu)技術(shù)，面向重點(diǎn)行業(yè)和關(guān)鍵業(yè)務(wù)，有效開(kāi)展計算平臺在相關(guān)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化示范應用，提升國產(chǎn)計算平臺的競爭力和產(chǎn)業(yè)規模。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須實(shí)現國產(chǎn)計算芯片的迭代，總帶寬達到1.5T比特每秒，并通過(guò)第三方權威機構的檢測與認證。支持CPUCore虛擬化、內存虛擬化、中斷虛擬化、IO虛擬化等多項虛擬化技術(shù)，支持加解擾、糾錯等內存保護技術(shù)，基于國產(chǎn)計算平臺搭建產(chǎn)品及應用的適配測試環(huán)境，在稅務(wù)、運營(yíng)商、金融、公安、汽車(chē)、電網(wǎng)等至少一個(gè)領(lǐng)域中實(shí)現范應用，芯片應用不少于1000套，形成標準規范3件以上。

　　(三)申報要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報。

　　(四)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元左右/項。

　　項目2:面向星基增強高精度超低功耗北斗芯片生態(tài)的技術(shù)研發(fā)及應用

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　針對國產(chǎn)衛星導航系統在航空、交通、智慧物聯(lián)、船舶、應急救援等重點(diǎn)領(lǐng)域的應用需求，研制新一代基帶信號處理、射頻信號處理、多源融合一體化定位、定位與短報文一體化等芯片與模組，優(yōu)化并完善國產(chǎn)衛星導航系統的生態(tài)鏈。針對當前終端產(chǎn)品定位精度不足、抗干擾能力差等現狀，突破衛星信號高精度跟蹤、信源識別防欺騙等關(guān)鍵技術(shù)，研制高精度、抗干擾基帶信號處理芯片與射頻信號處理芯片。針對模組功耗高、體積大等現狀，突破多源融合定位信號接入、低噪聲射頻接收與抗干擾等技術(shù)，研制低功耗、低成本、多源融合一體化定位芯片。針對遠洋漁業(yè)、航運等領(lǐng)域中全球覆蓋性要求高、全球短報文服務(wù)系統容量大等應用需求，突破智能位姿感知、選頻發(fā)射等技術(shù)，研制定位與短報文一體化芯片。選擇上述的一個(gè)方向開(kāi)展研究，所研發(fā)芯片應通過(guò)第三方權威機構的檢測與認證，在具體民用產(chǎn)品上取得規?；瘧门c推廣。

　　(二)考核指標

　　項目完成時(shí)，須選擇以下1-3中一個(gè)產(chǎn)品方向并完成包含4在內的考核指標。

　　1.高精度、抗干擾基帶信號處理芯片與射頻信號處理芯片。衛星信號抗干擾帶寬不少于20MHz，抗單干擾能力不少于100dBc干信比，三個(gè)干擾不少于85dBc干信比，無(wú)干擾情況下精度小于1米。

　　2.低功耗、低成本、多源融合一體化基帶抗干擾定位芯片?？商幚砣N以上傳感器信息，使用小型天線(xiàn)時(shí)，一般室外定位精度優(yōu)于1米;平均功耗小于15mW(不含射頻);芯片裸片尺寸小于2.5mm*2.5mm o

　　3.定位與短報文一體化芯片，兼容全球4大系統所有民用頻點(diǎn)，同時(shí)跟蹤衛星數量超過(guò)50顆。支持星基增強系統(SBAS)高精度衛星導航定位，定位精度優(yōu)于2.5米;模組定姿精度優(yōu)于lmil/3m，支持全球短報文通信，支持編組通信。

　　4.累計申請國家發(fā)明專(zhuān)利10件、集成電路布圖設計2件以上，形成相關(guān)行業(yè)標準1項以上。所研發(fā)芯片應通過(guò)第三方權威機構的檢測與認證;芯片模塊及終端產(chǎn)品產(chǎn)值不低于1億元。

　　(三)申報要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報。

　　(四)支持強度

　　擬支持1項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　項目3:大型裝置中高性能電子元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

　　(一)研究?jì)热?/p>

　　汽車(chē)電子系統、空調系統、高端電視(4K和8K等)等裝置中大量使用的高性能處理器和大功率驅動(dòng)器件，如微控制器、模數數模轉換器件、電源管理器、射頻模塊/芯片、功率驅動(dòng)器件等，對整機成本與性能具有決定性作用。本專(zhuān)題擬以裝置中使用的高性能集成電路開(kāi)展高性能電子元器件研發(fā)攻關(guān)，并完成實(shí)際應用和產(chǎn)業(yè)化，形成知識產(chǎn)權的關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)品。工業(yè)類(lèi)控制器、模數轉換、處理器等，開(kāi)展系統上優(yōu)化集成，突破創(chuàng )新架構，在算力提升和先進(jìn)工藝制造、系統集成與開(kāi)發(fā)、高性能編/解碼等方面取得突破;電源管理芯片在精密基準技術(shù)、高響應高可靠性控制技術(shù)、噪聲和紋波抑制技術(shù)，提高芯片應用水平的上取得突破;功率驅動(dòng)器件在可靠性、擊穿電壓和工作結溫提升上實(shí)現突破。通過(guò)本項目的實(shí)施，鼓勵具有廣泛產(chǎn)業(yè)化基礎、良好投資實(shí)力和研發(fā)能力的大企業(yè)發(fā)揮自身的應用優(yōu)勢，瞄準最核心部件開(kāi)展研發(fā)，實(shí)現核心半導體芯片和元器件的國產(chǎn)以及整機系統應用。

　　(二)考核指標

　　下列考核指標不限如下所列行業(yè)方向、具體產(chǎn)品類(lèi)型及技術(shù)性能指標，如下考核指標僅作為申報時(shí)的重要參考。項目鼓勵大型裝置及重大系統中高性能元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，申報時(shí)可選擇其他行業(yè)中的一個(gè)產(chǎn)品方向，但須明確行業(yè)及器件型號，主要性能指標達國內先進(jìn)水平，建設期內須完成實(shí)際應用指標。

　　1.電視專(zhuān)用芯片。

　　DCDC芯片實(shí)現高性能、超低功耗、輕載高效。支持模擬調光功能、支持高精度的軟件調背光功能;符合EIA/JEDEC等國際測試標準;主板驅動(dòng)顯示分辨率達到4K@60Hz及以上;主板待機功耗小于0.5W;音頻性能不低于8ohm8W@1KHz;信噪比>60dB。項目建設期內實(shí)現年出貨量達到1500萬(wàn)塊以上。

　　2.空調系統專(zhuān)用芯片。

　　擊穿電壓VB≥600V，最高工作結溫TJ≥150 0C o MCU控制芯片抗ESD>8KV，芯片存儲內嵌自校驗的512K FLASH級64K SRAM。項目建設期內實(shí)現50萬(wàn)臺套應用，技術(shù)指標達到國際主流產(chǎn)品水平。

　　3.汽車(chē)電子系統專(zhuān)用芯片

　　支持基于A(yíng)I的影像處理算法，圖形渲染能力高于1700Mpixels/s;實(shí)時(shí)傳輸導航與反饋相關(guān)的海量數據需要支持LTE等制式高于下/上行峰值速率(300Mbps/150Mbps，芯片需符合AECQ 100標準。項目建設期內實(shí)現車(chē)載系統應用50萬(wàn)套以上。

　　(三)申報要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報。

　　(四)支持強度

　　擬支持2項，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項。

　　三、申報方式

　　如設有開(kāi)放性課題，申報項目必須是申報指南尚未覆蓋，技術(shù)水平領(lǐng)先，具有非常規性、顛覆性技術(shù)路線(xiàn)，為企業(yè)所亟需的項目。我們將通過(guò)咨詢(xún)論證等程序從中選取少量符合條件的優(yōu)秀項目作為立項補充。

　　四、評審及立項說(shuō)明

　　省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃項目由第三方專(zhuān)業(yè)機構組織評審，對申報項目的背景、依據、技術(shù)路線(xiàn)、科研能力、時(shí)間進(jìn)度、經(jīng)費預算、績(jì)效目標等進(jìn)行評審論證，并進(jìn)行技術(shù)就緒度和知識產(chǎn)權等專(zhuān)業(yè)化評估：

　　(一) 技術(shù)就緒度與先進(jìn)性評估。本專(zhuān)項主要支持技術(shù)就緒度3～6級的項目，項目完成時(shí)技術(shù)就緒度一般應達到7～9級，原則上項目完成后技術(shù)就緒度應有3級以上提高(技術(shù)就緒度標準見(jiàn)附件2)，各申報單位應在可行性報告中按要求對此進(jìn)行闡述并提供必要的佐證支撐材料(可行性報告提綱可在陽(yáng)光政務(wù)平臺系統下載)。

　　(二) 查重及技術(shù)先進(jìn)性分析。將利用大數據分析技術(shù)，對照國家科技部科技計劃歷年資助項目與廣東省科技計劃歷年資助項目，對擬立項項目進(jìn)行查重和先進(jìn)性等分析。

　　(三) 知識產(chǎn)權分析評議。項目研究成果一般應有高質(zhì)量的知識產(chǎn)權，請各申報單位按照高質(zhì)量知識產(chǎn)權分析評議指引(見(jiàn)附件3)的有關(guān)要求，加強本單位知識產(chǎn)權管理，提出項目的高質(zhì)量知識產(chǎn)權目標，并在可行性報告中按要求對此進(jìn)行闡述并提供必要的佐證支撐材料(可行性報告提綱可在陽(yáng)光政務(wù)平臺系統下載)，勿簡(jiǎn)單以專(zhuān)利數量、論文數量作為項目目標。

　　擬立項項目按程序審核報批后納入項目庫管理，視年度財政預算及項目落地情況分批出庫支持，結合項目進(jìn)展分階段撥付財政資金。

　　同一指南中的同一項目方向(或課題)，原則上只支持1項(指南有特殊說(shuō)明的除外)，在申報項目(或課題)評審結果相近且技術(shù)路線(xiàn)明顯不同時(shí)，可予以并行支持。

　　五、聯(lián)系人及電話(huà)

　　1.高新技術(shù)處(專(zhuān)題業(yè)務(wù)咨詢(xún))：李傳印，020-83163875

　　2.業(yè)務(wù)受理及技術(shù)支持：020-83163930、83163338

　　3.資源配置與管理處(綜合性業(yè)務(wù)咨詢(xún))：司圣奇　020-83163838

　　省科技廳

　　2020年8月6日

相關(guān)附件：
2020年度廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃 “芯片、軟件與計算”（軟件與計算類(lèi)）重大專(zhuān)項申報指南.pdf
技術(shù)就緒度評價(jià)標準及細則.pdf
高質(zhì)量知識產(chǎn)權分析評議指引.pdf